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安森美在APEC 2021發布 新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
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全面的寬禁帶器件組合實現高性能充電方案

 

2021年6月8日– 推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),發布 一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊,進一步增強其用于充滿挑戰的電動車 (EV) 市場的產品系列。
 

隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施,以提供一個快速充電站網絡,使他們能夠快速完成行程,而沒有“續航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發展,需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環境和地點,緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面臨的挑戰。
 

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術,適合18 V到20 V范圍內的驅動電壓,易于用負門極電壓驅動。它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比,降低了熱阻,從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。
 

NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構,是采用F1封裝的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳,是工業應用的理想選擇,且嵌入的一個負溫系數 (NTC) 熱敏電阻有助于溫度監測。
 

新的SiC MOSFET模塊是安森美半導體電動車充電生態系統的一部分,被設計為與 NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。最近推出的 NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離,可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。
 

NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝,接受邏輯電平輸入(3.3 V、5 V和15 V)。該高電流器件(在米勒平臺電壓下,源電流4.0 A/灌電流6.0 A)適合高速工作,因為典型傳播延遲為60 ns。
 

安森美半導體的 SiC MOSFET與新的模塊和門極驅動器相輔相成,比類似的硅器件提供更勝一籌的開關性能和增強的散熱性,令能效和功率密度更高,電磁干擾 (EMI) 得以改善,并減小系統尺寸和重量。
 

最近發布的 650 V SiC MOSFET 采用新穎的有源單元設計,結合先進的薄晶圓技術,使(RDS(on)*area) 的品質因數 (FoM) 達到同類最佳。該系列器件如 NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1NTH4L015N065SC 等是市場上采用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS(on) 的MOSFET。
 

1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小,減少了器件電容和門極電荷(Qg - 低至220 nC),從而減少電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。
 

APEC 2021 期間,安森美半導體將展示用于 工業應用SiC方案,并在展商研討會上介紹電動車非車載充電方案。欲注冊觀展,請訪問 http://apec-conf.org/conference/registration/。
 

更多資源及文檔:

登錄頁: 能源基礎設施

視頻: 25 kW SiC模塊電動車直流快速充電樁電源級

白皮書: 全面解析快速直流充電

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