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ST 碳化硅(SiC)MOSFET 系列產品
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在第七十五屆聯合國大會上習近平主席提出“中國將提高國家自主貢獻力度,采取更加有力的政策和措施,二氧化碳排放力爭于2030年前達到峰值,努力爭取2060年前實現碳中和”。國內要實現碳中和,需要發力的方向非常多。供給端擴大光伏發電、風電發電,需求端提升新能源車比例,輸送端發力特高壓。

意法半導體SiC MOSFET系列產品采用最先進的技術平臺,實現優良的開關性能??商峁U展到650V至1700V的電壓范圍(這一數值在不久的將來會更高),并且具有單位面積極低的導通電阻RDS(on) 和業界出色的品質因數(FoM)。配備了ST SiC MOSFET的系統,其卓越品質幾乎可與傳統硅技術相媲美。未來已來,SIC碳化硅產品將廣泛用于光伏逆變器、新能源車功率器件,特高壓基站等,助力廣大客戶設計出比以往更高效、緊湊型的系統。

 
應用框圖
封裝種類
 
特性
汽車級(AG)合格器件
超高溫處理能力(max.TJ = 200 °C)
在溫度范圍內具有低導通電阻
易于驅動
穩定的超快速本體二極管
極低的開關損耗(隨溫度變化影響最?。?,允許工作在非常高的開關頻率
 
應用
可再生能源電源供電
電源轉換工業驅動
光伏高壓逆變器
路燈充電站
高壓電源
 
主要器件
產品型號 廠商 封裝 資料  
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